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電漿原理試題求解

電漿原理達人
複選題 (80%)
1.下列那些方式常用來增加到達基板表面的原子能量：
□以光束照射基板
□以離子束投射在基板上
□以電子束投射在基板上
□基板加熱

2. 以電漿輔助CVD鍍膜有那些特點：
□降低鍍膜溫度
□增加鍍膜速率
□增加薄膜內之缺陷
□降低薄膜應力

3.薄膜與基板材料不同時會有應力產生，其原因有那些
□晶格常數的不符合
□熱膨脹係數的不符合
□結晶結構的不符合
□薄膜內的雜質原子

4.關於的敘述下列那些是對的:
□電漿是由一群帶有電荷的電子和離子以及不帶電且處於基態或激發態的原子與分子所組成
□在電漿中，不帶電者進行隨意方向之布朗運動，帶電者則互有庫侖力之作用
□電漿整體之電荷數正負相當，呈電中性
□一般電漿之解離度約為10-4，以10 mtorr之氣體壓力估算，離子濃度約為1010 cm-3

5.以電漿蝕刻跟化學蝕刻比較，下列那些敘述是對的:
□電漿蝕刻適用於較小的尺度之蝕刻
□電漿蝕刻對基板溫度較敏感
□電漿蝕刻產生較少的污染
□電漿蝕刻製程較不易控制

6.不導電的材料可以用下列方式濺鍍之
□RF sputtering
□reactive sputtering
□DC sputtering



7.薄膜鍍製的方法可分為物理和化學兩類，下列那些方法屬物理者:
□MBE
□CVD
□evaporation
□sputtering

8.下列的薄膜鍍製方法有那些是IC工業常用者：
□MBE
□evaporation
□sputtering
□CVD

單選題 (20%)
9.一個反應腔通入流量為F的氣體，並由一抽氣速度為S的真空幫浦抽氣，該反應腔最終的壓力P。請問三者間的關係為：
□P=SxF
□S=FxP
□F=SxP

10.下列的薄膜鍍製方法中階梯覆蓋(step coverage)最佳者為：
□sputtering
□MBE
□CVD
□evaporation

11.以CVD方法鍍膜，如果表面之化學反應主導薄膜成長速率(G)，其與基板溫度(T)的關係為：
□G與[T]2成正比
□G與exp[T]成正比
□G與In[T]成正比
□G與[T]成正比

12.在電漿蝕刻反應腔中蝕刻條件不變之下放入一晶片，其蝕刻速率為30 nm/min；若放入第二片後，其蝕刻速率降為24 nm/min。試問置入第三片，其蝕刻速率為
□20 nm/min
□18 nm/min
□20 nm/min
□21 nm/min

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